隨著時(shí)代與科技的發(fā)展，互聯(lián)網(wǎng)的連接越發(fā)重要。如果沒(méi)有起連接作用的交換機(jī)和路由器，那么龐大的通信網(wǎng)絡(luò)將會(huì)癱瘓，無(wú)論是對(duì)個(gè)人還是企業(yè)都會(huì)造成無(wú)可估量的損失。通信設(shè)備安全穩(wěn)定的運(yùn)行，離不開供電電源的高效可靠。目前，通過(guò)電源的軟開關(guān)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)電容式能量傳輸，顯著提高48V至中間總線電壓的效率及功率密度，大為改善了整體電源的成本。

       新潔能Super Trench MOSFET系列產(chǎn)品，能實(shí)現(xiàn)高頻開關(guān)（低R_g），低傳導(dǎo)損耗（最優(yōu)的R_DSon性能）、低開關(guān)損耗（優(yōu)良的開關(guān)特性），并改良了體二極管反向恢復(fù)特性，更適合應(yīng)用于軟開關(guān)技術(shù)，大為改善系統(tǒng)EMC。

48V轉(zhuǎn)12V：

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET：V_DS=40V   R_{on@10V（max）}=1mΩ-6.6mΩ   封裝形式：DFN

12V轉(zhuǎn)0.5-2V MOS：NCEP25T18GU

N-channel SGT-II MOSFET & N-channel SGT-I MOSFET & N-channel Trench MOSFET：V_DS=30V   R_{on@10V（max）}=0.85mΩ-7.1mΩ  

封裝形式DFN

LLC:

SJ-III TF MOSFET：V_DS=650V    R_{on@10V（max）}=41mΩ-140mΩ