8月12日，福布斯中國發(fā)布了“2022年中國創(chuàng)新力企業(yè)50強(qiáng)榜單”，新潔能以其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域近些年來不斷突破國產(chǎn)技術(shù)瓶頸的出色研發(fā)創(chuàng)新能力再次登榜。

自成立以來，新潔能始終專注于半導(dǎo)體功率器件行業(yè)，開發(fā)能力強(qiáng)，產(chǎn)品導(dǎo)入市場(chǎng)速度快，采用了國際最先進(jìn)硅基高壓功率 MOSFET 技術(shù)和國際最先進(jìn)的硅基中低壓功率MOSFET 技術(shù)，是國內(nèi)首批發(fā)布超結(jié)功率 MOSFET 產(chǎn)品、屏蔽柵溝槽功率 MOSFET 產(chǎn)品的企業(yè)，同時(shí)，也是國內(nèi)首批在 12 英寸工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)溝槽型 MOSFET、屏蔽柵 MOSFET 量產(chǎn)的企業(yè)。

同時(shí)，新潔能IGBT系列產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)了相同電壓規(guī)格下，器件電流密度提升30%、器件芯片面積減小30%、開關(guān)損耗減小10%，參數(shù)性能達(dá)到國際先進(jìn)水平，產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于光伏逆變、電動(dòng)汽車等應(yīng)用領(lǐng)域，已經(jīng)成為了國內(nèi)80%光伏終端的最大供應(yīng)商，打破了國外大廠多年來在國內(nèi)光伏領(lǐng)域的壟斷地位，突破了全球IGBT產(chǎn)品技術(shù)天花板。

基于卓越的研發(fā)實(shí)力，新潔能成功樹立了在國內(nèi)功率器件行業(yè)的領(lǐng)先地位，在技術(shù)水平、生產(chǎn)工藝和產(chǎn)品質(zhì)量等方面已達(dá)到國際先進(jìn)水平，并憑借其成本、區(qū)域優(yōu)勢(shì)逐步實(shí)現(xiàn)對(duì)中高端功率器件產(chǎn)品的進(jìn)口替代。

該份榜單以商業(yè)模式、研發(fā)投入、自身成長(zhǎng)性等基本維度作為主要考核指標(biāo)，與往屆相比更加著重于創(chuàng)新實(shí)力指標(biāo)，此次蟬聯(lián)也是對(duì)于新潔能研發(fā)實(shí)力的高度肯定與贊賞。新潔能也將不忘初心，進(jìn)一步依托技術(shù)、品牌、渠道等綜合優(yōu)勢(shì)，結(jié)合大尺寸晶圓芯片先進(jìn)工藝技術(shù)，開拓國際先進(jìn)功率器件封裝制造技術(shù)，全力推進(jìn)高端功率器件、集成功率器件的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化，持續(xù)布局半導(dǎo)體功率器件最先進(jìn)的技術(shù)領(lǐng)域，以不斷鞏固與提高企業(yè)的高度創(chuàng)新力。