IGBT
概覽
通過工藝與器件結構優(yōu)化，新潔能提供高能效的IGBT產(chǎn)品。在導通壓降與開關損耗之間做出了巧妙權衡，能夠大幅度提高系統(tǒng)效率。同時，該系列產(chǎn)品具備良好穩(wěn)定的短路能力，出色的低電磁干擾特性，可靠的開關速度控制力，為設計人員在系統(tǒng)可靠性方面設計提供充足的保障。不同系列（如B系列、W系列等）廣泛應用于各個領域。
目前新一代---第七代微溝槽場截止技術IGBT產(chǎn)品采用先進的微溝槽技術大幅提高器件元胞結構密度，還采用了優(yōu)化的載流子存儲設計、多梯度背面緩沖層設計以及超薄漂移區(qū)工藝技術，大幅提升器件電流密度，以650V產(chǎn)品為例，產(chǎn)品電流密度可以提升至550A/cm2以上，可以與國際技術世代產(chǎn)品性能達到相同水平。器件的飽和壓降和開關損耗大幅度降低，器件折中特性大幅優(yōu)化，650V滿足中頻IGBT 飽和壓降典型值僅1.35V。此外，該系列產(chǎn)品通過引入多梯度背面緩沖層設計，優(yōu)化了器件的開關特性，為系統(tǒng)設計提供更大的余量。該系列產(chǎn)品全部基于大尺寸IGBT晶圓制造平臺生產(chǎn)，實現(xiàn)了卓越器件電氣特性與參數(shù)高一致性穩(wěn)定性的全面結合。