12-300V N MOSFET
30-250V N-Channel SGT-III MOSFET概覽
新潔能正在陸續(xù)推出第三代屏蔽柵溝槽型功率MOSFET,相比于上一代產(chǎn)品,第三代產(chǎn)品特征導通電阻降低20%以上,ESD能力、大電流關斷能力、短路能力提升10%以上,同時具有更優(yōu)的EMI特性,可以滿足客戶更高能效、更高可靠性的需求,產(chǎn)品性能及競爭力進一步提升。
配合先進的封裝技術,Super Trench技術致力于提升MOSFET器件在電能轉換過程中的系統(tǒng)效率和功率密度,同時確保在苛刻環(huán)境下開關過程中的抗沖擊耐量,實現(xiàn)快速、平穩(wěn)、高效的電源管理和電機控制。